[发明专利]具有空气侧墙的CMOS 制作方法有效
| 申请号： | 201110379535.0 | 申请日： | 2011-11-24 |
| 公开（公告）号： | CN102376647A | 公开（公告）日： | 2012-03-14 |
| 发明（设计）人： | 周军 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种具有空气侧墙的CMOS制作方法，步骤如下：提供一硅晶片，所述硅晶片包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区形成有P+源/漏区和NMOS栅极，所述PMOS区形成有N+源/漏区和PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极两侧都具有侧墙；在上述结构上沉积第一介质层；直至去除所述侧墙顶部的一部分，在侧墙顶部形成释放口；湿法刻蚀去除NMOS栅极和PMOS栅极两侧的侧墙；在上述结构上沉积第二介质层；采用光刻、刻蚀工艺，形成分别连通至N+源/漏区、P+源/漏区的接触孔；在接触孔内填充金属形成互连，本发明在CMOS制作过程中去除栅极两侧的二氧化硅或者氮化硅侧墙，形成空气侧墙，从而减小反转延迟；降低开关所需能量，减小能耗，提高CMOS的速度。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 空气 cmos 制作方法 | ||
【主权项】：
一种具有空气侧墙的CMOS制作方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一硅晶片，所述硅晶片包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区形成有P+源/漏区和NMOS栅极，所述PMOS区形成有N+源/漏区和PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极两侧都具有侧墙；在上述结构上沉积第一介质层；化学机械研磨第一介质层，直至去除所述侧墙顶部的一部分，在侧墙顶部形成释放口；湿法刻蚀去除NMOS栅极和PMOS栅极两侧的侧墙；在上述结构上沉积第二介质层；采用光刻、刻蚀工艺，形成分别连通至N+源/漏区、P+源/漏区的接触孔；在接触孔内填充金属形成互连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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