[发明专利]MnO2/石墨纳米片复合材料及其制备和应用无效

专利信息
申请号: 201110380591.6 申请日: 2011-11-25
公开(公告)号: CN102496416A 公开(公告)日: 2012-06-13
发明(设计)人: 胡中爱;张亚军;张海英;张富海;梁鹏举;杨玉英;张子瑜;吴红英 申请(专利权)人: 西北师范大学
主分类号: H01B13/00 分类号: H01B13/00;H01B1/04;H01G9/042
代理公司: 甘肃省知识产权事务中心 62100 代理人: 张英荷
地址: 730070 甘肃*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要: 发明公开了一种MnO2/石墨纳米片复合材料的制备,属于复合材料技术领域。该方法是先将经清洗处理的石墨棒进行电化学剥离处理,得到石墨纳米片基底;再利用高压静电吸附的方式将高锰酸根吸附在石墨纳米片表面,然后采用还原剂还原高锰酸根,在石墨纳米片基底上沉积MnO2,得到MnO2/石墨纳米片复合材料。本发明制备的复合材料兼具石墨纳米片产生双电层电容与MnO2产生赝电容储能特点,同时石墨纳米片彼此之间平行排列,改善了离子迁移途径,故而显现出超高的电化学电容行为,可直接作为超级电容器电极,具有较高的能量密度和高的功率密度,不需要添加导电物质和粘合剂等添加剂,显著地提高了电容器的比容量。
搜索关键词: mno sub 石墨 纳米 复合材料 及其 制备 应用
【主权项】:
一种MnO2/石墨纳米片复合材料的制备方法,是先将经清洗处理的石墨棒进行电化学剥离处理,得到石墨纳米片基底表面;再利用高压静电吸附的方式将高锰酸根吸附在石墨纳米片表面,然后采用还原剂还原高锰酸根,使MnO2沉积在石墨纳米片基底上,得到MnO2/石墨纳米片复合材料。
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