[发明专利]一种阻变式存储器单元无效
| 申请号： | 201110382225.4 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN102368536A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 蔡一茂;万珍妮;黄如 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C16/02;G11C16/14 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人： | 李稚婷 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种阻变式存储器单元，包括单极型RRAM和与之串联的作为选择管的MOS晶体管，其中MOS晶体管制作在部分耗尽SOI衬底上，利用其本征的浮体效应为RRAM的编程和擦除提供大电流。本发明利用了SOI器件的浮体效应，在相同的宽长比下，SOI衬底上的MOS晶体管较体硅MOS晶体管能提供更大的源漏电流，从而节省选择管占用的面积，有利于RRAM阵列的集成。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阻变式 存储器 单元 | ||
【主权项】：
一种阻变式存储器单元，包括单极型RRAM和与之串联的作为开关的MOS晶体管，其中MOS晶体管制作在部分耗尽SOI衬底上。
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