[发明专利]一种微加热装置及形成方法有效
| 申请号： | 201110382857.0 | 申请日： | 2011-11-25 |
| 公开（公告）号： | CN103137610A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 甘正浩;冯军宏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;G01R31/26;G01R31/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微加热装置及形成方法，所述微加热装置包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和与正面相对的背面，位于所述半导体衬底正面上的待检测器件；贯穿所述半导体衬底的导电沟槽，所述导电沟槽围绕所述待检测器件设置，且所述位于半导体衬底正面的导电沟槽表面与外电路相连，所述位于半导体衬底背面的导电沟槽表面与外电路相连。本发明实施例的微加热装置具有贯穿半导体衬底的导电沟槽，并利用所述导电沟槽用于为待检测器件加热，由于所述导电沟槽围绕所述待检测器件设置，所述待检测器件受热均匀，且通过改变所述两个电极之间的电压，控制导电沟槽产生的热量，从而控制待检测器件的温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加热 装置 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种微加热装置，其特征在于，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有正面和与正面相对的背面，位于所述半导体衬底正面上的待检测器件；贯穿所述半导体衬底的导电沟槽，所述导电沟槽围绕所述待检测器件设置，所述导电沟槽用于为待检测器件加热。
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