[发明专利]一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺

摘要

本发明涉及一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其包括如下步骤：a、提供衬底，并所述衬底表面形成第一二氧化硅层；b、在上述第一二氧化硅层上设置复合材料层；c、对上述复合材料层进行刻蚀，形成场区隔离结构；d、淀积多晶硅，通过刻蚀所述多晶硅在场区上形成多晶硅条；e、通过在衬底表面形成多晶硅条表面离子注入形成源漏重掺杂区，所述源漏重掺杂区位于复合材料层的两侧。本发明采用非晶硅材料层和通过PECVD淀积第二二氧化硅层形成的复合材料层，具有抗辐射性能优良和良好的电学隔离特性，能够在大剂量的辐射条件下，抑制NMOS场管的开启电压漂移，提高集成电路的抗总剂量辐射能力；加工工艺简单，具有很强的操作性。

主权项

一种用于场区总剂量抗辐射加固的工艺，其特征是，所述总剂量抗辐射加固工艺包括如下步骤：（a）、提供衬底（8），并所述衬底（8）表面形成第一二氧化硅层（9）；（b）、在上述第一二氧化硅层（9）上设置复合材料层（11），所述复合材料层（11）为非晶硅材料层（10）与第二二氧化硅层相交错分布形成，所述复合材料层（11）通过非晶硅材料层（10）与第一二氧化硅层（9）相接触；（c）、对上述复合材料层（11）进行刻蚀，形成场区隔离结构（12）；（d）、对上述形成场区隔离结构（12）的复合材料层（11）上淀积多晶硅，对所述多晶硅掺杂后，通过刻蚀所述多晶硅在场区上形成多晶硅条（13）；（e）、通过在衬底（8）表面形成多晶硅条（13）表面离子注入形成源漏重掺杂区（14），所述源漏重掺杂区（14）位于复合材料层（11）的两侧。