[发明专利]减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法

摘要

本发明公开了一种减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法，其包括以下步骤：在功率晶体管上形成沟槽；在沟槽内沉积多晶硅以形成栅极，同时在多晶硅顶端形成V型槽；然后在栅极的上表面沉积用于填充V型槽的多晶硅；最后蚀刻沉积的多晶硅已形成凹陷深度较小的V型槽。本发明可以大大减小多晶硅顶端的V型槽凹陷深度，达到减小栅极上方Cont电阻以及防止Cont无法连接栅极而导致开关器件失效，它可以广泛应用于沟槽型功率晶体管沟槽内栅极的形成中。

主权项

一种减小沟槽型功率晶体管沟槽内多晶硅顶端V型槽的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：提供一基底，所述基底上表面设置有外延层，所述外延层上表面设置有垫层氧化层，所述垫层氧化层上表面设置有硬罩幕层；步骤2：采用光刻在所述硬罩幕层上定义出沟槽区域；然后采用蚀刻在位于所述硬罩幕层的沟槽区域下方的所述垫层氧化层上继续定义沟槽；步骤3：在所述步骤2最终形成的沟槽基础上，进一步采用蚀刻在位于所述垫层氧化层的沟槽下方的所述外延层上形成用作栅极的沟槽；步骤4：在所述步骤3的形成用作栅极的沟槽基础上，去除所述硬罩幕层；步骤5：在所述步骤4的基础上，在所述外延层的上表面设置栅极氧化层；然后在所述栅极氧化层的上表面沉积用于填充沟槽的多晶硅；步骤6：蚀刻所述步骤5中用于填充沟槽的多晶硅以形成栅极，同时在沟槽内多晶硅顶端形成V型槽；步骤7：在所述步骤6的基础上形成的栅极的上表面沉积用于填充V型槽的多晶硅；步骤8：蚀刻所述步骤7中沉积的多晶硅以形成栅极。