[发明专利]可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法

摘要

本发明提供一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管及制造方法，通过在衬底上形成同衬底掺杂类型相同的阱区以及位于漂移区内STI上之栅极来最佳化漂移区的掺杂浓度和电场分布(RESURF)，即可控制器件具备不同的电性特征，从而在不改变工艺流程、工艺参数及版图设计的情况下，通过扩展或缩小f区域的宽度即可线性预测器件的电性特性，得到不同电性特征的器件，而无需为了得到不同电性特征的器件针对每种需要的器件重新设计版图、工艺参数或工艺流程。

主权项

一种可升级的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管，包括：第一导电类型的衬底、形成在所述衬底上的第一导电类型的阱区、形成在所述第一导电类型的阱区上表面用以形成沟槽的第一导电类型的体扩散区、用于隔离的隔离区、形成在所述第一导电类型阱区上表面且相对于所述体扩散区位于所述隔离区另一侧的第二导电类型漂移区、形成在所述体扩散区上表面的源极、形成在所述漂移区上表面的漏极，以及形成在栅极绝缘层上且在空间上覆盖所述体扩散区和所述漂移区的栅极，通过形成具有与所述衬底的导电类型一致的阱区并调整所述栅极位于所述漂移区上方的宽度，控制所述漂移区的掺杂浓度和电场分布。