[发明专利]薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电装置无效
| 申请号： | 201110393718.8 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN102486907A | 公开（公告）日： | 2012-06-06 |
| 发明（设计）人： | 佐藤尚 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | G09F9/30 | 分类号： | G09F9/30 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 周春燕;陈海红 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供薄膜晶体管形成用基板、半导体装置、电装置。该薄膜晶体管形成用基板，在基板主体的厚度方向的任一个面具有薄膜晶体管的构成要素即源电极、漏电极、栅电极的至少一个或具有第1电极；在前述基板主体的内部埋入有连接于前述源电极、前述漏电极、前述栅电极以及前述第1电极的任一个的埋入布线。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 形成 用基板 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管形成用基板，其特征在于：在基板主体的厚度方向的任一个面具有薄膜晶体管的构成要素即源电极、漏电极、栅电极的至少一个或具有第1电极；在前述基板主体的内部埋入有连接于前述源电极、前述漏电极、前述栅电极以及前述第1电极的任一个的埋入布线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110393718.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
