[发明专利]对准标记的曝光方法及系统无效
| 申请号： | 201110393835.4 | 申请日： | 2011-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN103135337A | 公开（公告）日： | 2013-06-05 |
| 发明（设计）人： | 郑志强 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20;H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种对准标记的曝光方法及系统。本发明涉及半导体制造领域，解决了现有技术中对准标记的曝光需要扫描曝光设备进行对准标记的曝光，并在曝光的同时需要使用掩膜版，这样，就会影响到扫描曝光设备的使用寿命，并增加对掩膜版的使用频率的问题。本发明实施例提供的方案为：一种对准标记的曝光方法，包括：在硅片上涂光刻胶；在硅片边缘曝光装置中对所述硅片上的对准标记所处位置的光刻胶进行曝光；将经过曝光后的所述硅片进行显影；将经过显影后的所述硅片进行蚀刻。本发明实施例适用于光刻生产线等。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 标记 曝光 方法 系统 | ||
【主权项】：
一种对准标记的曝光方法，包括：步骤s1，在硅片上涂光刻胶；步骤s2，在硅片边缘曝光装置中对所述硅片上的对准标记所处位置的光刻胶进行曝光；步骤s3，将经过曝光后的所述硅片进行显影；步骤s4，将经过显影后的所述硅片进行蚀刻。
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