[发明专利]记忆胞的检测方法有效
| 申请号： | 201110395032.2 | 申请日： | 2011-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN103065688A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 蔡子敬;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/08 | 分类号： | G11C29/08 |
| 代理公司： | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人： | 余朦;王艳春 |
| 地址： | 中国台湾桃园县龟山*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种记忆胞的检测方法，包括：提供半导体基板，该半导体基板具有形成于其内的电容以及形成于其上的晶体管，其中该晶体管电性连结于该电容；通过光学量测系统以检测该电容的顶面的尺寸及该电容与电性连结于该电容的该晶体管间的间距，进而得到第一量测值与第二量测值；以及比较该第一量测值及该第二量测值与该电容与该晶体管的设计规格，以判定包括该电容与该晶体管的记忆胞的功能。 | ||
| 搜索关键词： | 记忆 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种记忆胞的检测方法，其特征在于，包括：提供半导体基板，所述半导体基板具有形成于其内的电容以及形成于其上的晶体管，所述晶体管电性连结于所述电容；通过光学量测系统以检测所述电容的顶面的尺寸及所述电容与电性连结于所述电容的所述晶体管间的间距，进而得到第一量测值与第二量测值；以及比较所述第一量测值及所述第二量测值与所述电容与所述晶体管的设计规格，以判定包括所述电容与所述晶体管的记忆胞的功能。
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