[发明专利]像素结构及其制造方法无效
| 申请号： | 201110396188.2 | 申请日： | 2011-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN102520556A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 魏全生;黄朝祥;蔡五柳;林志宏;陈茂松 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;祁建国 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种像素结构，其包括第一电极、第一绝缘层、栅极、第二电极、第二绝缘层、半导体层、源极以及漏极、第三电极、第三绝缘层以及像素电极。第一电极位于基板上。第一绝缘层覆盖第一电极。栅极位于第一绝缘层上。第二电极位于第一电极的上方的第一绝缘层上。第二绝缘层覆盖栅极以及第二电极。半导体层位于栅极上方的第二绝缘层上。源极以及漏极位于半导体层上。第三电极位于第二电极的上方的第二绝缘层上且与第一电极电性连接。第三绝缘层覆盖源极、漏极以及第三电极。像素电极位于第三绝缘层上且与漏极电性连接。 | ||
| 搜索关键词： | 像素 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种像素结构，包括：一第一电极，位于一基板上；一第一绝缘层，覆盖该第一电极；一栅极，位于该第一绝缘层上；一第二电极，位于该第一电极的上方的该第一绝缘层上；一第二绝缘层，覆盖该栅极以及该第二电极；一半导体层，位于该栅极上方的该第二绝缘层上；一源极以及一漏极，位于该半导体层上，其中该栅极、该半导体层、该源极以及该漏极构成一薄膜晶体管；一第三电极，位于该第二电极的上方的该第二绝缘层上，其中该第三电极与该第一电极电性连接，且该第一电极、该第二电极以及该第三电极构成一电容器；一第三绝缘层，覆盖该源极、该漏极以及该第三电极；以及一像素电极，位于该第三绝缘层上且与该漏极电性连接。
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