[发明专利]一种碳纳米管场发射阴极的制备方法有效
| 申请号： | 201110396380.1 | 申请日： | 2011-12-04 |
| 公开（公告）号： | CN102386042A | 公开（公告）日： | 2012-03-21 |
| 发明（设计）人： | 李得天;成永军;冯焱;蔡敏 | 申请（专利权）人： | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;李爱英 |
| 地址： | 730000 甘*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，属于纳米材料制备与应用领域。本发明采用二次阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板，在氯化镍或氯化钴溶液中浸泡后，取出晾干，得到模板2；用化学气相沉积法在模板2的孔洞中制备碳纳米管，得到模板3；在模板3没有沉积碳纳米管的一面滴加磷酸溶液，得到模板4；在不锈钢基底上蒸发一层银浆层后将模板4生长碳纳米管的一面粘贴到银浆层上；得到本发明所述的一种碳纳米管场发射阴极；本发明在制备多孔阳极氧化铝模板的后期采用降压法，可以减小多孔阳极氧化铝模板底部的孔洞直径，从而提高碳纳米管的长径比，提高碳纳米管冷阴极的场发射特性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 发射 阴极 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳纳米管场发射阴极的制备方法，所述制备方法步骤如下：步骤一、采用二次阳极氧化法制备多孔阳极氧化铝模板；步骤二、将步骤一得到的多孔阳极氧化铝模板在0.1M～0.5M的氯化镍或氯化钴溶液中浸泡4～20min后，取出晾干，得到模板2；步骤三、用化学气相沉积法在模板2的孔洞中制备碳纳米管，得到模板3；步骤四、在模板3没有沉积碳纳米管的一面滴加0.5M的磷酸溶液，浸泡处理20～40min后除去障壁层，用水清洗后得到模板4；步骤五、在不锈钢基底上用银蒸发台蒸发一层厚为100～150μm的银浆层后，取出基底，将模板4生长碳纳米管的一面粘贴到银浆层上；得到本发明所述的一种碳纳米管场发射阴极。
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