[发明专利]一种X射线传感器的制作方法有效
申请号: | 201110397822.4 | 申请日: | 2011-12-02 |
公开(公告)号: | CN102629613A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 徐少颖;谢振宇;陈旭 | 申请(专利权)人: | 北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100176 北京市*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种X射线传感器的制作方法,该方法包括:在基板上制备至少两条栅极扫描线;在基板和栅极扫描线上依次沉积栅绝缘层、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜,制备与栅极扫描线交叉的至少两条数据线、光电感应器件和开关器件;制备覆盖光电感应器件和开关器件的第一钝化层,在第一钝化层上制备过孔,过孔位于光电感应器件区域内的选定位置处;在第一钝化层上面,与数据线和开关器件对应的位置上制备偏压线,偏压线通过过孔与光电感应器件电连接;制备覆盖偏压线和第一钝化层的第二钝化层。采用本发明中的方法降低了产品成本,提高了良品率和设备产能。 | ||
搜索关键词: | 一种 射线 传感器 制作方法 | ||
【主权项】:
一种X射线传感器的制作方法,其特征在于,包括:在基板上制备至少两条栅极扫描线;每条所述栅极扫描线作为所述X射线传感器中一行像素单元包括的开关器件的栅极;在所述基板和栅极扫描线上依次沉积栅绝缘层、有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜;对所述有源层薄膜、欧姆接触层薄膜、第一导电层薄膜、光电转换层薄膜采用一道灰色调掩模工艺进行处理,得到与所述栅极扫描线交叉的至少两条数据线、光电感应器件和开关器件,每条所述数据线作为所述X射线传感器中一列像素单元包括的开关器件的漏极,所述开关器件的源极与光电感应器件的负电极连接;制备覆盖所述光电感应器件和开关器件的第一钝化层,在所述第一钝化层上制备过孔,所述过孔位于光电感应器件区域内的选定位置处;在第一钝化层上面,与所述数据线和开关器件对应的位置上制备偏压线,所述偏压线通过所述过孔与光电感应器件电连接;制备覆盖所述偏压线和所述第一钝化层的第二钝化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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