[发明专利]一种半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201110400079.3 | 申请日： | 2011-12-06 |
| 公开（公告）号： | CN103151249A | 公开（公告）日： | 2013-06-12 |
| 发明（设计）人： | 韩秋华;李凤莲 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;顾珊 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：提供具有NMOS区、PMOS区和虚拟栅极结构的半导体衬底；沉积并研磨一层间介电层；在所述虚拟栅极结构上形成一多晶硅层；在所述层间介电层上形成一牺牲层，蚀刻所述牺牲层以露出所述多晶硅层的顶部；蚀刻所述PMOS区上的所述多晶硅层和虚拟栅极结构；依次沉积第一功函数金属层和金属层；研磨所述金属层和第一功函数金属层；蚀刻所述NMOS区上的所述多晶硅层和虚拟栅极结构；依次沉积第二功函数金属层和金属层；研磨所述金属层以及第二和第一功函数金属层。根据本发明，在形成高k-金属栅的工艺过程中，蚀刻去除所述虚拟栅极结构以及研磨沉积形成的所述功函数金属层和金属层时，不会造成所述层间介电层的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，且在所述半导体衬底上形成有虚拟栅极结构；在所述半导体衬底上沉积一层间介电层，研磨所述层间介电层以露出所述虚拟栅极结构的顶部；在所述虚拟栅极结构上形成一多晶硅层；在所述层间介电层上形成一牺牲层，以覆盖所述多晶硅层，蚀刻所述牺牲层以露出所述多晶硅层的顶部；蚀刻所述PMOS区上的所述多晶硅层和所述虚拟栅极结构；在所述半导体衬底上依次形成第一功函数金属层和金属层，并覆盖所述NMOS区上的所述多晶硅层；研磨所述金属层和所述第一功函数金属层，以露出所述NMOS区上的所述多晶硅层的顶部；蚀刻所述NMOS区上的所述多晶硅层和所述虚拟栅极结构；在所述半导体衬底上依次形成第二功函数金属层和金属层；研磨所述金属层以及所述第二功函数金属层和所述第一功函数金属层，以露出所述层间介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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