[发明专利]一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法。本发明的方法仅需要3块掩膜版，利用三次光刻制备出氧化锌薄膜晶体管；采用自对准方法将沟道区外的栅介质层和栅电极的这两层光刻胶一起剥离，然后对暴露出的沟道区两端的半导体层进行处理减小其电阻以形成低电阻的源区和漏区。本发明由于实现栅介质层和栅电极的自对准，从而有效地减小寄生电容、寄生电阻，提高栅控能力，对提高薄膜晶体管器件自身性能和实现高速薄膜晶体管电路等具有积极效果，同时大大的降低了工艺难度，节约制造成本，提高成品率。

主权项

一种顶栅自对准氧化锌薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：1)提供一个半导体材料作为衬底；2)在衬底上生长一层氧化物半导体层，然后光刻和剥离形成岛状的半导体沟道区；3)光刻显影光刻胶，形成栅介质层和栅电极的窗口；4)生长一层绝缘介质材料作为栅介质层，紧接着生长一层导电薄膜作为栅电极，然后剥离光刻胶，暴露出沟道区的两端；5)对暴露出来的沟道区的两端的半导体层进行处理，形成低阻的源区和漏区；6)光刻显影光刻胶，形成源电极和漏电极的窗口；7)生长一层导电薄膜，剥离光刻胶，生成源电极和漏电极；8)生长一层钝化介质层，光刻和刻蚀形成栅电极、源电极和漏电极的引出孔；并生长一层金属薄膜，光刻和刻蚀形成金属电极和互连。