[发明专利]TFT阵列基板的制作方法及TFT阵列基板有效
| 申请号： | 201110403568.4 | 申请日： | 2011-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN102420183A | 公开（公告）日： | 2012-04-18 |
| 发明（设计）人： | 覃事建 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77;H01L27/12;G02F1/1362;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人： | 胡海国 |
| 地址： | 518132 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT阵列基板的制作方法，包括：在基板上沉积第一金属膜层；对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属。本发明还提供了一种包括玻璃基板和第一绝缘层的TFT阵列基板，还包括成形于所述玻璃基板上的挡光金属，所述挡光金属通过对沉积在所述玻璃基板上的第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶的方法得到。本发明所提供的一种TFT阵列基板的制作方法，通过在基板上成形挡光金属实现对TFT开关器件的保护，使其不受强光影响，提高TFT开关器件的稳定性；并且通过电容的并联来减小存储电容的面积，从而实现增大相应像素的开口率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | tft 阵列 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：在基板上沉积第一金属膜层；对所述第一金属膜层进行涂胶曝光显影制程，并经过刻蚀及去胶，得到挡光金属。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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