[发明专利]通过调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法无效
申请号: | 201110407858.6 | 申请日: | 2011-12-09 |
公开(公告)号: | CN103159508A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 温海东;夏志刚;李顺义 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | C04B41/91 | 分类号: | C04B41/91;H01L21/67 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 高月红 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法,该方法是一种改善DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒状况方法,步骤包括:通过将dome陶瓷品的表面粗糙度控制在2.5~3.5μm之间。包括:通过将dome陶瓷品的表面粗糙度控制在2.5~3.5μm之间,从而改善后续进行的DPS Trench刻蚀工艺中出现的颗粒较差问题。本发明不仅有效解决DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒较差问题,而且实现了对废弃dome陶瓷品的再利用,不仅节省成本,还环保。 | ||
搜索关键词: | 通过 调整 陶瓷 表面 粗糙 改善 设备 颗粒 状况 方法 | ||
【主权项】:
一种调整陶瓷品表面粗糙度来改善设备颗粒状况的方法,其特征在于:所述方法是改善DPS Trench etch刻蚀工艺中出现的颗粒状况方法,步骤包括:通过将dome陶瓷品的表面粗糙度控制在2.5~3.5μm之间。
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