[发明专利]防止浅沟槽隔离边缘漏电的方法无效
| 申请号： | 201110407859.0 | 申请日： | 2011-12-09 |
| 公开（公告）号： | CN103165507A | 公开（公告）日： | 2013-06-19 |
| 发明（设计）人： | 刘俊 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 高月红 |
| 地址： | 201206 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种防止浅沟槽隔离(STI)边缘漏电的方法，包括步骤：1)在浅沟槽隔离上部硅边缘形成氮化硅侧墙；2)当进行硅接触孔刻蚀时，采用对氮化硅和硅都为高选择比(＞10∶1)的工艺，刻蚀二氧化硅，使得在浅沟槽隔离边缘的孔刻蚀停止在该氮化硅侧墙层。本发明能防止在浅沟槽隔离边缘漏电的情况，扩大硅接触孔刻蚀工艺窗口，而且由于增加的该氮化硅侧墙只存在于浅沟槽隔离上部硅边缘，所以不会对有源区产生任何影响。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 沟槽 隔离 边缘 漏电 方法 | ||
【主权项】：
一种防止浅沟槽隔离边缘漏电的方法，其特征在于，包括步骤：1)在浅沟槽隔离上部硅边缘形成氮化硅侧墙；2)当进行硅接触孔刻蚀时，采用对氮化硅和硅都为高选择比的工艺，刻蚀二氧化硅，使得在浅沟槽隔离边缘的孔刻蚀停止在该氮化硅侧墙层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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