[发明专利]一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法

摘要

一种具有高锗(Ge)组分的应变锗硅(SiGe)层的制备方法，属于半导体技术领域，特别涉及应变锗硅(SiGe)层的制备。所述方法包括以下步骤：准备硅(Si)衬底；采用传统生长应变Si层的方法在Si衬底上长一层具有少量应变并且质量较好的应变Si层，采用化学气相淀积(CVD)或分子束外延(MBE)等外延技术在上述生长好的应变Si层上外延一层含有高Ge组分的应变SiGe层。本发明通过在应变Si层上外延SiGe层，利用应变Si中的应变缓解上层SiGe层中的应变，使得SiGe层中缺陷更少，这样Ge组分可以更高，所涉及的设备，工艺等，都是最常见最普通的半导体工艺，因此，本发明不但具有高锗的应变锗硅层，而且具有制作简单，成本低的优点。

主权项

一种具有高Ge组分的应变SiGe层的制备方法，其特征在于，该方法由以下步骤完成：步骤一：准备硅衬底，并清洗；步骤二：在硅衬底上制备一层应变硅，该应变硅的应变应小于0.3％；步骤三：在步骤二所制备的应变硅上外延一层Ge组分较高的应变SiGe层，Ge组分可高达60％～90％。