[发明专利]具有偏置阱的高压电阻器

摘要

本发明提供了一种具有偏置阱的高压电阻器。该器件包括位于衬底中的掺杂阱，该掺杂阱与该衬底的掺杂极性相反。半导体器件包括位于掺杂阱上的介电结构。掺杂阱邻近所述介电结构的部分的掺杂浓度高于所述掺杂阱的其余部分。半导体器件包括位于介电结构上的伸长的多晶硅结构。所述伸长的多晶硅结构具有长度L。掺杂阱邻近介电结构的部分电连接到伸长的多晶硅结构的部分，该伸长的多晶硅结构的部分与伸长的多晶硅结构的中点相距预定距离，该预定距离沿着伸长的多晶硅结构测量出。该预定距离处于大约0*L到大约0.1*L的范围内。

主权项

一种半导体器件，包括：掺杂区域；绝缘器件，被设置在所述掺杂区域的部分上方；电阻器，被设置在所述绝缘器件上方，其中，所述电阻器在一个末端处包括第一端，并在相对末端处包括第二端；以及互连结构，被设置在所述电阻器上方，其中，所述互连结构连接到所述掺杂区域和所述电阻器的部分，所述电阻器的部分设置在所述第一端和所述第二端之间。