[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。该方法包括：在栅极相反两侧的源区和漏区的上部形成硅化物，其中栅极形成于衬底上并在其相反两侧的侧壁上都具有第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件，第一侧壁间隔件具有水平部分和垂直部分，水平部分位于第二侧壁间隔件和衬底之间，垂直部分位于第二侧壁间隔件和侧壁之间。之后，在硅化物上选择性地沉积保护层。根据上述方法，通过在硅化物上选择性地沉积保护层，能够防止保护层下的硅化物在后续执行应力近邻技术的过程中被蚀刻而导致损失，从而在实现应力近邻技术的同时避免了硅化物损失的问题。

主权项

一种制造半导体器件的方法，包括：在栅极相反两侧的源区和漏区的上部形成硅化物，其中所述栅极形成于衬底上并在其所述相反两侧的侧壁上都具有第一侧壁间隔件和第二侧壁间隔件，所述第一侧壁间隔件具有水平部分和垂直部分，所述水平部分位于所述第二侧壁间隔件和所述衬底之间，所述垂直部分位于所述第二侧壁间隔件和所述侧壁之间；在所述硅化物上选择性地沉积保护层。