[发明专利]实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件有效
| 申请号： | 201110413121.5 | 申请日： | 2011-12-10 |
| 公开（公告）号： | CN102569106A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 王智;许晓鹏;孙汉炳 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L25/07;H01L29/861 |
| 代理公司： | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人： | 刘楠 |
| 地址： | 550018 贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法及器件。其方法是将多颗玻璃钝化单管以并联的方式烧结在金属底座上，玻璃钝化单管另一端与电极烧结；实现玻璃钝化二极管大功率方面的应用。其器件包括底座（1），底座上设有一组切除管引线的玻璃钝化单管（2），玻璃钝化单管底部与底座烧结，玻璃钝化单管顶部与电极（3）烧结。本发明利用玻璃钝化实体封装二极管的性能优点，通过多颗玻璃钝化单管并联的方式，将玻璃钝化单管烧结在金属底座上。在工艺上，按玻璃钝化实体封装二极管正常工艺流程到成型工序，然后采用单管匹配性测试、线切割、二次烧结等技术手段制成可以在大功率范围内应用的玻璃钝化实体封装二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 玻璃 钝化 二极管 大功率 应用 方法 器件 | ||
【主权项】：
一种实现玻璃钝化二极管大功率应用的方法，其特征在于：该方法是将多颗玻璃钝化单管以并联的方式烧结在金属底座上，玻璃钝化单管另一端与电极烧结；实现玻璃钝化二极管大功率方面的应用。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
