[发明专利]半导体器件及其制造方法以及电源装置有效
| 申请号： | 201110415537.0 | 申请日： | 2011-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN102709319A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 山田敦史 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 顾晋伟;董文国 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件，包括：包括载流子传输层3和载流子供给层5的氮化物半导体堆叠结构；提供在所述氮化物半导体堆叠结构上方并包括活化区域10和非活化区域10A的p-型氮化物半导体层6；提供在所述p-型氮化物半导体层中的所述非活化区域上的n-型氮化物半导体层7；以及提供在所述p-型氮化物半导体层中的所述活化区域上方的栅电极13。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 以及 电源 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：包括载流子传输层和载流子供给层的氮化物半导体堆叠结构；提供在所述氮化物半导体堆叠结构上方并包括活化区域和非活化区域的p‑型氮化物半导体层；提供在所述p‑型氮化物半导体层中的所述非活化区域上的n‑型氮化物半导体层；和提供在所述p‑型氮化物半导体层中的所述活化区域上方的栅电极。
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