[发明专利]一种并列型光电探测器无效
申请号: | 201110415890.9 | 申请日: | 2011-12-11 |
公开(公告)号: | CN103165627A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 杜兵 | 申请(专利权)人: | 西安金和光学科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/144 | 分类号: | H01L27/144 |
代理公司: | 西安创知专利事务所 61213 | 代理人: | 谭文琰 |
地址: | 710075 陕西省西安*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种并列型光电探测器,包括半导体材料构成的p区、轻掺杂的本征的i区和n区,所述的p区、i区和n区被绝缘层分割成独立的两个部分,p区一、i区一和n区一以及电极一和电极二构成一个光电探测元件一;p区二、i区二和n区二以及电极三和电极四构成另一个光电探测元件二,光电探测元件一和光电探测元件二为圆环形,且光电探测元件一在光电探测元件二外侧,在p区一和p区二分别还有镀覆有防反射层一和防反射层二。该并列型光电探测器可以将双包层或多包层光纤中纤芯和包层中传输的光信号同时检测,其结构简单、使用方便、生产成本低,便于推广使用。 | ||
搜索关键词: | 一种 并列 光电 探测器 | ||
【主权项】:
一种并列型光电探测器,包括半导体材料构成的p区、轻掺杂的本征的i区和n区,其特征在于:所述的p区、i区和n区被绝缘层(15)分割成独立的两个部分,p区一(7)、i区一(8)和n区一(9)以及电极一(1)和电极二(2)构成一个光电探测元件一;p区二(10)、i区二(11)和n区二(12)以及电极三(3)和电极四(4)构成另一个光电探测元件二,光电探测元件一和光电探测元件二为圆环形,且光电探测元件一在光电探测元件二外侧,在p区一(7)和p区二(10)分别还有镀覆有防反射层一(5)和防反射层二(6)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的