[发明专利]形成半导体器件的图案的方法

摘要

本发明公开了一种形成半导体器件的图案的方法。所述方法包括以下步骤：在硬掩模层上形成分区图案；在包括分区图案的表面的整个结构上形成第一辅助层；形成辅助图案，以覆盖第一辅助层的形成于在第二区域中形成的分区图案的侧壁上的部分，其中，第二区域中的辅助图案中的每个都具有比第一辅助层的厚度大的宽度；通过去除第一辅助层暴露在第一区域中的分区图案的顶部上的部分和第一辅助层暴露在第二区域中的辅助图案之间的部分，来在分区图案的侧壁上形成间隔件，使得分区图案的一部分和硬掩模层的一部分暴露出来；去除辅助图案；刻蚀暴露在间隔件之间的分区图案；以及去除分区图案的其余区域和暴露在间隔件之间的硬掩模层。

主权项

一种形成半导体器件的图案的方法，所述方法包括以下步骤：在包括第一区域和第二区域的区域内的材料层之上形成分区图案，其中，所述第二区域中的分区图案具有比所述第一区域中的分区图案大的宽度；在所述分区图案的表面上形成第一辅助层；形成辅助图案以覆盖所述第一辅助层在所述第二区域中的部分，其中所述第一辅助层的所述部分被形成于在所述第二区域中形成的分区图案的侧壁之上，且所述第二区域的每个辅助图案都具有比所述第一辅助层的厚度大的宽度；通过利用所述辅助图案作为第一刻蚀掩模刻蚀第一辅助层直至分区图案的上表面暴露为止，来在所述分区图案的侧壁上形成间隔件；通过刻蚀暴露在所述间隔件与所述辅助图案之间的分区图案，来形成第二刻蚀掩模；以及通过刻蚀被所述第二刻蚀掩模暴露出的所述材料层，来在所述第一区域中形成第一图案和在所述第二区域中形成第二图案，其中，所述第二图案中的每个都具有比所述第一图案大的宽度。