[发明专利]非易失性存储器件有效
| 申请号： | 201110420077.0 | 申请日： | 2011-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN102568574A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金珉秀 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件，包括：第一存储体，所述第一存储体包括多个第一页缓冲器；第二存储体，所述第二存储体包括多个第二页缓冲器；以及地址计数器，所述地址计数器被配置为在执行读取操作的时段内在第一时刻之前响应于时钟对第一地址和第二地址计数，并且在第一时刻之后响应于存储体地址对第一地址和第二地址计数，其中，第一页缓冲器的数据是响应于第一地址而顺序地输出的，第二页缓冲器的数据是响应于第二地址而顺序地输出的。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件，包括：第一存储体，所述第一存储体包括多个第一页缓冲器；第二存储体，所述第二存储体包括多个第二页缓冲器；以及地址计数器，所述地址计数器被配置为在执行读取操作的时段内在第一时刻之前响应于时钟对第一地址和第二地址计数，并且在所述第一时刻之后响应于存储体地址对所述第一地址和所述第二地址计数，其中，所述第一页缓冲器的数据是响应于所述第一地址而顺序地输出的，所述第二页缓冲器的数据是响应于所述第二地址而顺序地输出的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海力士半导体有限公司，未经海力士半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110420077.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：太阳能电池的电极用的糊剂组合物及太阳能电池
- 下一篇：电子物品监视系统
