[发明专利]一种芯片垂直互联方法无效
| 申请号： | 201110422024.2 | 申请日： | 2011-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN102522455A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 李焕然;王春青;张威 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（威海） |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 威海科星专利事务所 37202 | 代理人： | 王元生 |
| 地址： | 264200 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明是涉及一种芯片垂直互联方法，其将发射器件和接收器件固定于芯片上；将电信号传导至芯片一侧的发射器件上，由发射器件将电信号转化为光信号；光信号透过芯片传输至芯片另一侧的接收器件，由芯片上接收器件将接收到的光信号转化为电信号，透过芯片的无通孔光垂直互联，实现芯片间信号传输。本发明不用在芯片间制作通孔，从而避免了通孔、填孔、金属化的工艺流程，减少芯片制作步骤，不破坏芯片的完整性，提升芯片可靠性。其工艺简单，加工容易，制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 芯片 垂直 方法 | ||
【主权项】：
一种芯片垂直互联方法，其特征是：其首先选取发射器件和接收器件，将发射器件和接收器件固定于芯片上；将电信号传导至芯片一侧的发射器件上，由发射器件将电信号转化为光信号；光信号透过芯片传输至芯片另一侧的接收器件，由芯片上接收器件将接收到的光信号转化为电信号，透过芯片的光垂直互联，实现芯片间信号传输。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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