[发明专利]一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法

摘要

本发明公开一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，采用单一粒径的导热增强体(R)与金属基体(M)粉末作为原材料，二者的等效体积粒径(DR，DM)、颗粒数目(NR，NM)同时满足如下关系：(NR/NM)·(DR/DM)3＝VR/(1-VR)，NR/NM≤1，DR/DM≥(VR/(1-VR))1/3其中，VR为导热增强体的体积含量，NR/NM和DR/DM分别为导热增强体与金属基体的颗粒数目比和颗粒粒径比。本发明基于导热增强体和金属基体颗粒尺寸匹配，优化设计和制备的材料比未进行粉末颗粒尺寸匹配时的材料热导率提高6～25％，而生产成本却并未增加。

主权项

一种高导热电子封装材料的粉末冶金制备方法，采用单一粒径的导热增强体(R)与金属基体(M)粉末作为原材料，其特征在于，二者的等效体积粒径(DR，DM)、颗粒数目(NR，NM)同时满足如下关系：(NR/NM)·(DR/DM)3＝VR/(1‑VR)NR/NM≤1DR/DM≥(VR/(1‑VR))1/3其中，VR为导热增强体的体积含量，NR/NM和DR/DM分别为导热增强体与金属基体的颗粒数目比和颗粒粒径比。