[发明专利]非易失性存储器件及其高速缓存编程方法有效
| 申请号： | 201110426284.7 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN102568569A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 金有声;朴世泉 | 申请（专利权）人： | 海力士半导体有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 郭放;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储器件的高速缓存编程方法，包括以下步骤：将当前编程操作的数据编程到存储器单元阵列中；判断当前编程操作是否已执行到编程完成的阈值点；以及在当前编程操作已执行到编程完成的阈值点时接收下一个编程操作的数据。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 及其 高速缓存 编程 方法 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储器件的高速缓存编程方法，包括以下步骤：将当前编程操作的数据编程到存储器单元阵列中；判断所述当前编程操作是否已执行到编程完成的阈值点；以及在所述当前编程操作已执行到所述编程完成的阈值点时接收下一个编程操作的数据。
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