[发明专利]电阻式存储器的写入方法与存储器模块有效
| 申请号： | 201110426379.9 | 申请日： | 2011-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN103165185B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 焦佑钧;詹东义;林晨曦;张文岳 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/02 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 任默闻 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的一实施例提供一种电阻式存储器的写入方法，包括：接收一第一数据，并选择用以储存该第一数据的一第一电阻式记忆胞；当该第一数据的逻辑准位为一第一逻辑准位时，输出一电压脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据；当该第一数据的逻辑准位为一第二逻辑准位时，输出一电流脉冲信号至该第一电阻式记忆胞，以写入该第一数据。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 存储器 写入 方法 模块 | ||
【主权项】：
一种电阻式存储器的写入方法，其特征在于，所述的电阻式存储器的写入方法包括：接收一第一数据，并根据一位址信息选择用以储存所述的第一数据的一第一电阻式记忆胞；写入所述第一数据于所述第一电阻式记忆胞内；读取储存于所述的第一电阻式记忆胞内的数据；判断所述的第一数据与储存于所述的第一电阻式记忆胞内的数据是否相同；以及当所述的第一数据与储存于所述的第一电阻式记忆胞内的数据不同时，累计该第一电阻式记忆胞的写入失败次数，并判断所累计的写入失败次数是否等于一预定值N，当所累计的写入失败次数不等于一预定值N时，所述的第一数据被写入所述的第一电阻式记忆胞；当所述的第一数据与储存于所述的第一电阻式记忆胞内的数据相同时，继续写入下一笔数据。
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