[发明专利]高纯钽靶材的制备方法和高纯钽靶材有效
| 申请号： | 201110430596.5 | 申请日： | 2011-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN102517550A | 公开（公告）日： | 2012-06-27 |
| 发明（设计）人： | 姚力军;相原俊夫;大岩一彦;潘杰;王学泽;陈勇军 | 申请（专利权）人： | 宁波江丰电子材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;C22F1/18 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 315400 浙江省宁波市余姚*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种高纯钽靶材的制备方法，包括：对高纯钽锭进行锻造，然后进行第一热处理，所述第一热处理温度为1290℃～1350℃，所述锻造和第一热处理依次进行三次；最后一次第一热处理之后，对钽锭进行预热，然后进行压延；对压延后的钽锭进行第二热处理。本发明制作钽靶材的工艺能够保证钽靶材具有较好的均匀性和致密性，符合半导体溅射用钽靶材晶粒要求和晶向要求。 | ||
| 搜索关键词： | 高纯 钽靶材 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种高纯钽靶材的制备方法，其特征在于，包括：对高纯钽锭进行锻造，然后进行第一热处理，所述第一热处理温度为1290℃～1350℃，依次进行所述锻造和第一热处理，总共进行三次；最后一次第一热处理之后，对高纯钽锭进行预热，然后进行压延，形成钽靶坯；对所述钽靶坯进行第二热处理。
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