[发明专利]液晶显示装置有效
申请号: | 201110430612.0 | 申请日: | 2011-12-14 |
公开(公告)号: | CN102540603A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
发明(设计)人: | 中村考雄;石井一树;武藤大祐;关英宪 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立显示器 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 陈伟;孟祥海 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种液晶显示装置,用于防止覆盖形成在有机钝化膜上的通过ITO形成的电极的层间绝缘膜剥离的现象。在顶栅型的TFT上形成有用于与视频信号线连接的接触孔(130)。覆盖TFT并依次形成有无机钝化膜(108)、有机钝化膜(109),在其上形成公共电极(110),再在公共电极(110)上形成层间绝缘膜(111)。在层间绝缘膜(111)上形成有用于排气的通孔(140)。使通孔(140)的直径大于接触孔(130)的直径。使来自有机钝化膜(109)的气体从用于排气的通孔(140)放出,防止层间绝缘膜(111)的剥离。 | ||
搜索关键词: | 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
一种液晶显示装置,其在由沿第一方向延伸并沿第二方向排列的扫描线和沿第二方向延伸并沿第一方向排列的视频信号线包围的区域形成像素电极,上述像素电极通过TFT从上述视频信号线提供视频信号,该液晶显示装置的特征在于,上述TFT由半导体层、栅电极以及第一层间绝缘膜形成,该半导体层具有沟道部、形成在上述视频信号线侧的漏极部、以及形成在上述像素电极侧的源极部;该栅电极覆盖上述半导体层地形成有栅极绝缘膜,并在上述栅极绝缘膜上形成在上述沟道部的上方;该第一层间绝缘膜覆盖上述栅电极,上述视频信号线配置在上述第一层间绝缘膜上,覆盖上述视频信号线地依次形成有无机钝化膜、有机钝化膜,在上述有机钝化膜上形成公共电极,在上述公共电极上形成第二层间绝缘膜,在上述第二层间绝缘膜上形成上述像素电极,上述像素电极具有狭缝,上述视频信号线与上述TFT的上述漏极部相连接的部分形成为宽度变宽,上述视频信号线在上述宽度变宽的部分通过接触孔与上述漏极部相连接,在上述视频信号线的宽度变宽的部分,在上述第二层间绝缘膜上形成通孔,上述通孔的直径大于上述接触孔的直径。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立显示器,未经株式会社日立显示器许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201110430612.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种燃油箱及机动车
- 下一篇:一种纳米氧化铝粉体的制造装置