[发明专利]一种含氮的锗碳合金膜材料及其制备方法无效
| 申请号： | 201110433092.9 | 申请日： | 2011-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN102400026A | 公开（公告）日： | 2012-04-04 |
| 发明（设计）人： | 胡超权;郑伟涛;孟芳芳 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C22C28/00 | 分类号： | C22C28/00;C23C14/35;C23C14/14 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司 22201 | 代理人： | 王恩远 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明的一种含氮的锗碳合金膜材料及其制备方法属于薄膜材料的技术领域。合金膜材料由锗、碳和氮构成，按原子数浓度计，含量分别为81％、11～9％、8～10％。采用射频磁控溅射法制备含氮的锗碳合金膜，以单晶锗为靶，以N2、CH4和Ar为放电气体，先用Ar对Ge靶预溅射除去残存污染物；放电气体混合进入真空反应室，再控制压强、衬底温度、射频功率，溅射成膜。本发明的含氮的锗碳合金膜的结构致密，表面光滑，具有无氮锗碳合金膜所具有的低应力、易于镀厚、红外透明的优点；比无氮锗碳合金膜的硬度和光学带隙分别高出50％和12％以上，更适合在高速飞行服役条件下作为红外增透保护膜材料使用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 合金 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含氮的锗碳合金膜材料，由锗、碳和氮构成，按各成分的原子数浓度计，锗含量为81％，碳含量为11～9％，氮含量为8～10％。
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