[发明专利]与非闪存中的退化的早期检测有效
| 申请号： | 201110434155.2 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102543211A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 郭定辉 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了用于通过在读取操作期间测量一组(例如页)NAND闪存单元的阈值电压(VT′s)的离散度来对NAND闪存中的退化进行早期检测的技术。在本发明的实施例中，用于存储器单元的读取操作的完成时间(TTC)值用作阈值电压(VT′s)的离散度的代理。离散度分析器确定该组TTC值的离散度。在一个实施例中，在最大和最小TTC值之间的增量用作离散度测量值。如果所测量的TTC离散度与基准离散度值的差大于所选的量，则提供报警信号以指示存储器的页已经退化。可以使用报警信号来采取合适的动作、诸如将数据移动到新的页。 | ||
| 搜索关键词： | 闪存 中的 退化 早期 检测 | ||
【主权项】：
一种NAND闪存设备，包括：一组存储器单元；一组测量单元，每个测量单元连接到该组存储器单元中的一个存储器单元，每个测量单元产生测量信号，该测量信号是在读取操作中存储器单元的阈值电压的测量值；和离散度分析器，接收测量信号并确定该组存储器单元的测量信号的当前离散度值，并且产生输出信号，该输出信号指示当前离散度值与基准离散度值的差大于阈值量。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司，未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110434155.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
