[发明专利]SONOS存储器有效
申请号: | 201110435798.9 | 申请日: | 2011-12-22 |
公开(公告)号: | CN103178063A | 公开(公告)日: | 2013-06-26 |
发明(设计)人: | 陈广龙;谭颖 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L29/792 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种SONOS存储器,包括数据储存的主区域和备份区域。本发明器件的备份区域也是采用SONOS晶体管作为存储单元,通过将备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加,能够提高整个备份区域的工作速度,并使备份区域的工作速度大于主区域的工作速度,满足备份区域的快速工作的要求。同时本发明的备份区域采用SONOS晶体管后,尽管备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加了,但是备份区域的SONOS晶体管仍然具有几小时~几天的数据保存能力,故能使的备份区域的存储的数据在掉电后不会丢失,从而能给用户带来很大的方便。 | ||
搜索关键词: | sonos 存储器 | ||
【主权项】:
一种SONOS存储器,其特征在于,包括数据储存的主区域和备份区域;所述主区域的存储单元由一个第一SONOS晶体管组成;所述备份区域的存储单元由两个第二SONOS晶体管组成,两个所述第二SONOS晶体管连接形成SONOS闩锁晶体管结构;所述SONOS闩锁晶体管的两个所述第二SONOS晶体管的源极连接在一起,一个所述第二SONOS晶体管的栅极接一个字线、另一个所述第二SONOS晶体管的栅极接另一个的字线,一个所述第二SONOS晶体管的漏极接一个位线、另一个所述第二SONOS晶体管的漏极接另一个的位线;所述第二SONOS晶体管的沟道长度大于所述第一SONOS晶体管的沟道长度,所述第二SONOS晶体管的沟道宽度大于所述第一SONOS晶体管的沟道宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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