[发明专利]SONOS存储器有效

专利信息
申请号: 201110435798.9 申请日: 2011-12-22
公开(公告)号: CN103178063A 公开(公告)日: 2013-06-26
发明(设计)人: 陈广龙;谭颖 申请(专利权)人: 上海华虹NEC电子有限公司
主分类号: H01L27/115 分类号: H01L27/115;H01L29/792
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 丁纪铁
地址: 201206 上*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种SONOS存储器,包括数据储存的主区域和备份区域。本发明器件的备份区域也是采用SONOS晶体管作为存储单元,通过将备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加,能够提高整个备份区域的工作速度,并使备份区域的工作速度大于主区域的工作速度,满足备份区域的快速工作的要求。同时本发明的备份区域采用SONOS晶体管后,尽管备份区域的SONOS晶体管的尺寸增加了,但是备份区域的SONOS晶体管仍然具有几小时~几天的数据保存能力,故能使的备份区域的存储的数据在掉电后不会丢失,从而能给用户带来很大的方便。
搜索关键词: sonos 存储器
【主权项】:
一种SONOS存储器,其特征在于,包括数据储存的主区域和备份区域;所述主区域的存储单元由一个第一SONOS晶体管组成;所述备份区域的存储单元由两个第二SONOS晶体管组成,两个所述第二SONOS晶体管连接形成SONOS闩锁晶体管结构;所述SONOS闩锁晶体管的两个所述第二SONOS晶体管的源极连接在一起,一个所述第二SONOS晶体管的栅极接一个字线、另一个所述第二SONOS晶体管的栅极接另一个的字线,一个所述第二SONOS晶体管的漏极接一个位线、另一个所述第二SONOS晶体管的漏极接另一个的位线;所述第二SONOS晶体管的沟道长度大于所述第一SONOS晶体管的沟道长度,所述第二SONOS晶体管的沟道宽度大于所述第一SONOS晶体管的沟道宽度。
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