[发明专利]非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201110435822.9 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102637459A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 谷川博之;仓盛文章 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李伟;王轶 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种非易失性存储装置，能够抑制访问延迟的产生。该非易失性存储装置在进行位线(BL)的电压的大小与参考电压线(40)的参考电压(VREF)的大小的比较之前，用充电电路(114)以恒压(VREFEQ)对位线(BL)充电，然后以差电压输出电路(116B)利用串联电路(58)来生成参考电压(VREF)的大小与位线(BL)的电压的大小之差所对应的差电压，并由耦合抵消电路(34)吸收在PMOS晶体管(60C)以及NMOS晶体管(62A、62C)中产生的耦合电荷，用以抑制伴随着充电的开始而串联电路(58)的PMOS晶体管(60C)以及NMOS晶体管(62A、62C)的栅极电压的上升。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种非易失性存储装置，其包括：位线，与可电写入地存储逻辑值的非易失性的存储元件连接，被施加大小与存储在该存储元件中的逻辑值对应的电压；充电单元，在进行施加于所述位线的电压的大小与施加于参考电压线的参考电压的大小的比较来识别所述逻辑值时，在该比较前，所述充电单元利用大小与所述参考电压的大小相当的电压对该位线充电；电压生成单元，连接在所述参考电压线与所述位线之间，并具有在以所述充电单元进行充电时产生耦合电荷的电容负载，利用该电容负载生成所述参考电压线的电压的大小与所述位线的电压的大小之差所对应的电压来作为表示所述比较结果的电压；以及电荷吸收单元，吸收上述电容负载所产生的耦合电荷。
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