[发明专利]抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201110436081.6 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102610644A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 黄如;谭斐;安霞;黄芊芊;杨东;张兴 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336;H01L21/762 |
| 代理公司： | 北京万象新悦知识产权代理事务所(普通合伙) 11360 | 代理人： | 张肖琪 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件及其制备方法。本发明的SOI器件包括半导体衬底、埋氧层、半导体体区、栅区、源区和漏区、栅侧墙以及LDD区，其中在半导体体区引入两个防止泄漏通道产生的隔离保护层，该隔离保护层位于半导体体区中埋氧层的正上方，分别紧临源区和漏区。本发明中的隔离保护层的禁带宽度远远大于硅材料的禁带宽度，所以反型电子在源区和漏区间移动需要克服较大的势垒高度，背栅反型的导电通道很难形成，抑制了辐射时背栅泄漏电流的产生。本发明基于SOI器件的常规工艺，制作方法简单，不需要引入额外的光刻版，且由于隔离保护层并未延展至整个背栅沟道，减小了对前栅阈值电压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 抑制 辐射 引起 泄漏 电流 soi 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种抑制辐射引起的背栅泄漏电流的SOI器件，所述SOI器件包括半导体衬底(1)、埋氧层(2)、半导体体区(3)、栅区(5)、源区和漏区(7)、栅侧墙(8)以及LDD区(9)，其特征在于，在所述半导体体区(3)引入两个防止泄漏通道的隔离保护层(4)，所述隔离保护层(4)位于半导体体区(3)中埋氧层(2)的正上方，分别紧临源区和漏区(7)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京大学，未经北京大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110436081.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
