[发明专利]使用测试单元的闪存中的早期恶化检测有效
| 申请号： | 201110436120.2 | 申请日： | 2011-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN102708928A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | L.M.弗兰卡-尼托;R.L.加尔布雷思;T.R.奥恩宁 | 申请（专利权）人： | 日立环球储存科技荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G11C29/50 | 分类号： | G11C29/50 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 郭定辉 |
| 地址： | 荷兰阿*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了使用本发明实施方式的闪存系统和数据管理的方法，其使用具有早期恶化检测(EDD)电路的特殊测试单元来代替使用实际的用户数据存储单元。通过使用实验地确定的敏感的写VT和可变的读VT，使得闪存测试单元与标准单元相比更敏感，可以使其作为“煤矿中的金丝雀”。用于闪存中早期恶化检测(EDD)的技术测量读操作期间一组(如，页)NAND闪存单元的阈值电压(VT)的漂移。在本发明的实施方式中，存储单元的读操作的完成时间(TTC)用作阈值电压(VT)的漂移的代理。漂移分析器确定该组TTC值的漂移。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 测试 单元 闪存 中的 早期 恶化 检测 | ||
【主权项】：
一种闪存装置，包括：多组用户数据存储单元结构，其具有用于使用第一组阈值基准电压来读取每一个单元内容的部件；以及一组测试存储单元结构，其散布在用户数据存储单元结构之中，并具有用于使用第二组阈值基准电压来读取每一个单元的内容的部件，并且其中第二组阈值基准电压提供允许在用户数据存储单元结构之前的测试存储单元结构中检测恶化的更紧密的一组阈值电压。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日立环球储存科技荷兰有限公司，未经日立环球储存科技荷兰有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201110436120.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：化合物和释放前列环素类似物的方法
- 下一篇：红色荧光体材料以及等离子显示面板
