[发明专利]光刻对准精度检测方法

摘要

一种光刻对准精度检测方法，包括：在晶圆上形成工艺区和测试区；对所述工艺区和测试区进行光刻和刻蚀；完成当前层的光刻之后，在测试区找到相应的对准标识，对对准标识旁边未作标记的对准图形做对准精度测试；完成对上一层的对准精度测试后，在进行当前层光刻的同时，在测试过的对准图形上作标记。在不增加额外的成本的情况下，操作人员能够准确的将对准图形和对准标识相对应，提高了产品的良率。

主权项

一种光刻对准精度检测方法，包括：在半导体衬底上依次形成各层半导体结构，所述各层半导体结构通过光刻和刻蚀工艺获得；其中，每一层半导体结构的图形分为相对应的工艺区和测试区；对测试区的对准精度进行测试；根据对测试区的对准精度的测试结果，检测测试区相对应的工艺区的对准精度；其特征在于，所述测试区包括对准标识和对准图形，所述对准标识用于显示测试区所对应的层，所述对准图形作为对准精度测试的图形；每形成一层结构对应的工艺区和测试区后，开始对当前层进行所述对准精度测试；在上一层的所述对准精度测试完成后，形成当前层结构的工艺区和测试区的同时，在测试区中已完成对准精度测试的对准图形上形成标记；在测试区找到相应的对准标识，对对准标识旁边未作标记的对准图形进行对准精度测试。