[发明专利]在抛光由硅组成的半导体晶片之后立即清洁该半导体晶片的方法有效
| 申请号： | 201110437945.6 | 申请日： | 2011-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN102543679A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | R·兰茨 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 过晓东 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 在化学机械抛光由硅组成的半导体晶片之后立即清洁该半导体晶片的方法，该方法包括以所示顺序进行的以下步骤：a)将半导体晶片从抛光盘转移至第一清洁模块，其中在转移过程中用水以不大于1000Pa的压力喷射半导体晶片的两个侧面至少一次；b)在导入水的情况下在旋转的滚筒之间清洁半导体晶片；c)用含有氟化氢和表面活性剂的水溶液以不大于70000Pa的压力喷射半导体晶片的侧面；d)用水以不大于20000Pa的压力喷射半导体晶片的侧面；e)将半导体晶片浸入含水的碱性清洁溶液中；f)在导入水的情况下在旋转的滚筒之间清洁半导体晶片；g)用水喷射半导体晶片；及h)干燥半导体晶片。 | ||
| 搜索关键词： | 抛光 组成 半导体 晶片 之后 立即 清洁 方法 | ||
【主权项】：
在化学机械抛光由硅组成的半导体晶片之后立即清洁该半导体晶片的方法，该方法包括以所示顺序进行的以下步骤：a)将半导体晶片从抛光盘转移至第一清洁模块，其中在转移过程中用水以不大于1000Pa的压力喷射半导体晶片的两个侧面至少一次；b)在导入水的情况下在旋转的滚筒之间清洁半导体晶片；c)用含有氟化氢和表面活性剂的水溶液以不大于70000Pa的压力喷射半导体晶片的侧面；d)用水以不大于20000Pa的压力喷射半导体晶片的侧面；e)将半导体晶片浸入含水的碱性清洁溶液中；f)在导入水的情况下在旋转的滚筒之间清洁半导体晶片；g)用水喷射半导体晶片；及h)干燥半导体晶片。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
