[发明专利]一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法有效
| 申请号： | 201110440961.0 | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102544206A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 孙良欣;韦钧瀚 | 申请（专利权）人： | 霞浦吉阳新能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人： | 毛燕生 |
| 地址： | 355100 福建*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法；含有以下步骤：清洗制绒槽：用纯水反复的清洗槽体冲洗掉槽中的杂质，如果没有清洗到中性，会极大的影响到制绒结果，影响制绒外观和电性能；确定混醇比例：确定制绒时候的混醇比例为(重量配比)：乙醇0.5；异丙醇0.8；甘油1.2；：异丁醇0.6；提高槽体内温度到75℃：制造绒面，形成金字塔；制绒25分钟：保证金字塔的生长与形成；使用QDR快排清洗方式清洗：清洗表面残液防止药液残留；经过正常的其他段工艺扩散、PECVD、丝印后观察绒面和效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 晶体 硅制绒 工艺 方法 | ||
【主权项】：
一种用于晶体硅制绒的混醇工艺方法；其特征在于含有以下步骤：(1)清洗制绒槽：用纯水反复的清洗槽体冲洗掉槽中的杂质，如果没有清洗到中性，会极大的影响到制绒结果，影响制绒外观和电性能；(2)确定混醇比例：确定制绒时候的混醇比例为(重量配比)：乙醇0.3‑0.5；异丙醇0.8‑1.5；甘油1.2‑2.1；异丁醇0.6‑0.8；(3)提高槽体内温度到75℃：制造绒面，形成金字塔；(4)制绒25分钟：保证金字塔的生长与形成；(5)使用QDR快排清洗方式清洗：清洗表面残液防止药液残留；(6)经过正常的其他段工艺扩散、PECVD、丝印后观察绒面和效率。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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