[发明专利]超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法有效
| 申请号： | 201110441861.X | 申请日： | 2011-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102572322A | 公开（公告）日： | 2012-07-11 |
| 发明（设计）人： | 何进;苏艳梅;杜彩霞 | 申请（专利权）人： | 深港产学研基地 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H01L27/146 |
| 代理公司： | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人： | 满群 |
| 地址： | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种超低压CMOS图像传感器像素单元及电压输入输出方法，其中像素单元包括重置晶体管(M1)、光电二极管(D1)及它们中间接点与第一输出端之间的射极互连的源NMOS跟随晶体管(M2)和PMOS管(M3)以及中间接点与第二输出端之间的射极互连的集电极接地的源PMOS跟随晶体管(M4)和NMOS管(M5)，M2集电极接偏置电压(Vdd)，M4集电极接地，M3、M5基极电连接选择信号(RS)；对应电压输入输出方法包括：施加VDD＞VIP+VIN+2Vdsat的输入偏置电压，VIP是M2的阈值电压，VIN是M5的阈值电压，Vdsat是经过源电流的电压；第一和第二输出端共同构成了输出电压Vout，Vdsat＜Voutput＜VDD-Vdsat。 | ||
| 搜索关键词： | 低压 cmos 图像传感器 像素 单元 电压 输入输出 方法 | ||
【主权项】：
一种超低压CMOS图像传感器像素单元，包括重置晶体管(M1)、光电二极管(D1)及它们中间接点与第一输出端之间的射极互连的源NMOS跟随晶体管(M2)和PMOS管(M3)，所述源NMOS跟随晶体管(M2)集电极电连接偏置电压(Vdd)，其特征在于，还包括射极互连的：源PMOS跟随晶体管(M4)，基极电连接所述中间接点，集电极电连接地；NMOS管(M5)，基极电连接选择信号(RS)，集电极电连接第二输出端；所述选择信号(RS)还电连接所述PMOS管(M3)的基极。
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