[发明专利]一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法无效
申请号: | 201110443454.2 | 申请日: | 2011-12-18 |
公开(公告)号: | CN103160913A | 公开(公告)日: | 2013-06-19 |
发明(设计)人: | 刘朝轩;王晨光 | 申请(专利权)人: | 洛阳金诺机械工程有限公司 |
主分类号: | C30B15/20 | 分类号: | C30B15/20 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 471009 河南省*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 一种晶体生长的温度梯度控制装置及其方法,涉及一种晶体生长温度控制装置,筒形结构的加热套(4)外部面由上至下为相同直径,加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构,所述筒形加热套(4)的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度;本发明通过将加热套的上部厚度小于下部厚度;或利用上开口上部拓宽;或将加热套的上部只作为喇叭状形成上部温度低于下部温度;本发明实现了对坩埚内的晶体材料由下至上融化。 | ||
搜索关键词: | 一种 晶体生长 温度梯度 控制 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种晶体生长的温度梯度控制装置,包括加热套(4)本体,在加热套(4)下部两侧分别设有连接腿(5),由两个连接腿(5)分别连通正极和负极,所述加热套(4)呈筒形结构,在筒形结构加热套(4)的上部面(8)至下部均匀设有复数个上开口(3),在筒形结构加热套(4)的底部面(7)至上部均匀设有复数个下开口(2),形成上开口(3)位置对应两两下开口(2)之间,下开口(2)位置对应两两上开口(3)之间,其特征是:筒形结构的加热套(4)外部面由上至下为相同直径,加热套(4)的内面(1)为上部直径大于下部直径的上扩口结构,所述筒形加热套(4)的筒壁上部壁厚为下部壁厚的二分之一至四分之三之间形成对坩埚的晶体生长加热上部温度低于下部温度。
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