[发明专利]嵌入式闪存的字线的制造方法

摘要

一种嵌入式闪存的字线的制造方法。于晶胞区的基底上形成多个第一栅极结构以及于周边区的基底上形成至少一第二栅极结构。形成第一介电层以覆盖第一栅极结构及第二栅极结构。于各第一栅极结构及第二栅极结构的侧壁上形成第一间隙壁。形成第二介电层以覆盖第一及第二栅极结构。仅于第二栅极结构的侧壁上形成第二间隙壁。移除部分第一及第二介电层，直到露出第一与第二栅极结构的顶面以及部分基底。移除各第一栅极结构的上部。于剩余的第一栅极结构的顶面、第二栅极结构的顶面以及露出的基底上形成金属硅化物层。

主权项

一种嵌入式闪存的字线的制造方法，包括：提供一基底，所述基底具有一晶胞区与一周边区；于所述晶胞区的所述基底上形成多个第一栅极结构以及于所述周边区的所述基底上形成至少一第二栅极结构；于所述基底上顺应性地形成一第一介电层，以覆盖所述多個第一栅极结构及所述第二栅极结构；于各第一栅极结构及所述第二栅极结构的侧壁上形成一第一间隙壁；于所述基底上顺应性地形成一第二介电层，以覆盖所述多個第一栅极结构及所述第二栅极结构；仅于所述第二栅极结构的侧壁上形成一第二间隙壁；移除部分所述第一介电层及部分所述第二介电层，直到露出所述多個第一栅极结构与所述第二栅极结构的顶面以及未被所述多個第一栅极结构及所述第二栅极结构覆盖的所述基底；移除各第一栅极结构的上部；以及于剩余的所述多個第一栅极结构的顶面、所述第二栅极结构的顶面以及露出的所述基底上形成一金属硅化物层。