[发明专利]半导体非易失性存储装置有效
| 申请号： | 201110447810.8 | 申请日： | 2011-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN102544111A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 鹰巢博昭 | 申请（专利权）人： | 精工电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/423;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;黄纶伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种可电改写的半导体非易失性存储装置，其能够在不增加占有面积的情况下抑制隧道绝缘膜的劣化而具有高可靠性。在具有隧道区的半导体非易失性存储装置中，隧道区的周围部分被挖陷，在被挖掘的漏区中，隔着耗尽电极绝缘膜，配置有用于使隧道区的一部分耗尽的耗尽电极，该耗尽电极能够自由施加电位。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 非易失性 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种可电改写的半导体非易失性存储装置，该半导体非易失性存储装置具有：第1导电型的半导体基板；第2导电型的源区和漏区，它们相互隔着间隔而设在所述半导体基板的表面；沟道形成区，其是所述源区与所述漏区之间的所述半导体基板的表面；浮栅电极，其隔着栅绝缘膜而设在所述源区、所述漏区和所述沟道形成区的上方；控制栅电极，其与所述浮栅电极隔着控制绝缘膜而设置，且与所述浮栅电极电容耦合；隧道区，其设在所述漏区的一部分中；以及隧道绝缘膜，其设在所述隧道区的表面与所述浮栅电极之间，所述隧道区以及作为所述隧道区的周围部分的所述漏区被挖陷，在挖陷后的所述漏区中，隔着耗尽电极绝缘膜，配置有能够自由地改变电位的耗尽电极，该耗尽电极用于使所述隧道区的一部分耗尽。
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