[发明专利]一种显示装置、TFT-LCD像素结构及其制作方法无效
| 申请号： | 201110452477.X | 申请日： | 2011-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102650783A | 公开（公告）日： | 2012-08-29 |
| 发明（设计）人： | 张弥 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/1362 | 分类号： | G02F1/1362;G02F1/1368;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 韩国胜;王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种显示装置、TFT-LCD像素结构及其制作方法。该TFT-LCD像素结构包括：基板，基板上形成公共电极、栅极扫描线、栅电极、栅极绝缘层、有源层、像素电极、源电极、漏电极、数据扫描线、钝化层图案和第二透明电极层，第二透明电极层覆盖在像素电极的边缘；第二透明电极层通过相对设置在栅极扫描线上方的过孔与栅极扫描线连接，与像素电极形成存储电容。本发明提供的显示装置、TFT-LCD像素结构以及制作方法，通过过孔将栅极扫描线电荷存储在第二透明电极层上，与基板上的公共电极和第一透明电极层共同形成双存储电容结构，极大地增加了存储电容量，可有效提高图像的显示品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 显示装置 tft lcd 像素 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD像素结构，包括：基板，所述基板上形成公共电极、栅极扫描线、栅电极、栅极绝缘层、有源层、像素电极、源电极、漏电极、数据扫描线和钝化层图案，其特征在于，还包括第二透明电极层，所述第二透明电极层覆盖在像素电极的边缘；所述第二透明电极层通过相对设置在栅极扫描线上方的过孔与栅极扫描线连接，与像素电极形成存储电容。
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