[发明专利]带有IC器件的透明硅基基板的制作方法

摘要

一种带有IC器件的透明硅基基板的制作方法，它通过将硅上集成电路部分制作在绝缘硅片上面，然后用光学胶将绝缘硅片与透明基板粘接起来，通过机械减薄和化学蚀刻的方法将衬底硅去除掉，实现硅基基板的透明化，并在二氧化硅层上面打孔，将电极引出并实现图形化。以此透明硅基基板制作的器件，具有结构简单、可靠性高、开口率高等优点。

主权项

一种带有IC器件的透明硅基基板的制作方法，其特征是它包括以下步骤：1）选择绝缘硅片（SOI，SILICON ON INSULATOR）作为IC器件制作的基板，所述的绝缘硅片由衬底硅层（3）、二氧化硅绝缘层（2）和器件硅层（1）构成，器件硅层（1）位于顶层，二氧化硅绝缘层（2）位于衬底硅层（3）和器件硅层（1）之间；2）在器件硅层（1）上制作IC器件；3）采用高温氧化法将器件硅层（1）上未制作IC器件的部分进行氧化形成透明二氧化硅；4）将IC器件上需要与外界电气连接的部分提前连接到二氧化硅绝缘层（2）的上面，以方便后续工艺将电极引出；5）在IC器件上面做钝化层（11）和遮光层（12），以保护IC器件在后续制作中不受损伤，以及器件在应用过程中，不受外界光的干扰，而引起器件性能的衰退和劣化；6）将安装IC器件的器件硅层（1）通过光学胶与透明玻璃基板粘接；7）先通过机械减薄再通过化学刻蚀将衬底硅层（3）去除掉；8）在二氧化硅绝缘层（2）上打孔将电极引出，并且蒸镀透明的导电电极，光刻形成图形。