[发明专利]有机电致发光显示装置的阵列基板及其制造方法有效
申请号: | 201110453864.5 | 申请日: | 2011-12-30 |
公开(公告)号: | CN102867839A | 公开(公告)日: | 2013-01-09 |
发明(设计)人: | 崔熙东;田承峻 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/56 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 李辉;孙海龙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及有机电致发光显示装置的阵列基板及其制造方法。该阵列基板包括:基板,其包括显示区域和非显示区域;选通线和数据线;薄膜晶体管,其包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、中间绝缘层、源极、以及漏极;多条辅助线,其由相同的材料形成并在与所述数据线相同的层上;钝化层,其为有机绝缘材料并包括露出漏极的漏接触孔、露出辅助线中的一条辅助线的辅助线接触孔;以及第一电极和线连接图案,其在所述钝化层上,其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案连接所述第一辅助图案中的一个。 | ||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 阵列 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种用于有机电致发光显示装置的阵列基板,所述阵列基板包括:基板,所述基板包括显示区域和非显示区域,其中所述显示区域包括像素区域,所述非显示区域包括电源区域;选通线和数据线,所述选通线和数据线之间具有中间绝缘层,并且彼此交叉以限定所述像素区域;薄膜晶体管,所述薄膜晶体管在所述像素区域的驱动区域中并包括多晶硅的半导体层、栅绝缘层、栅极、所述中间绝缘层、源极、以及漏极;多条辅助线,所述多条辅助线在所述电源区域中,由与所述数据线相同的材料形成,并在与所述数据线相同的层上;钝化层,所述钝化层被布置在所述薄膜晶体管上并由有机绝缘材料形成,其中所述钝化层具有露出所述漏极的漏接触孔和露出所述电源区域中的所述多条辅助线中的一条辅助线的辅助线接触孔,其中所述钝化层覆盖所述多条辅助线中的所述一条辅助线的端部和/或两侧;以及第一电极和线连接图案,所述第一电极和线连接图案分别在所述像素区域中和所述电源区域中的所述钝化层上,其中所述第一电极接触所述漏极而所述线连接图案接触所述多条辅助线中的所述一条辅助线。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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