[发明专利]真空溅射靶磁芯无效
| 申请号： | 201110454429.4 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103184421A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 黄登聪;徐华勇;刘振章 | 申请（专利权）人： | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种真空溅射靶磁芯，该真空溅射靶磁芯包括一罩体和磁体固定板，该磁体固定板固定于罩体内，在该磁体固定板上在竖直方向开设有安装槽，该安装槽内设有第一磁体，用以形成溅射磁场，在该磁体固定板的两端装设有第二磁体，用于对该溅射的第一磁体产生的磁场进行封磁。本发明的真空溅射靶磁芯的加工成本低，结构简单，使用寿命长。 | ||
| 搜索关键词： | 真空 溅射 靶磁芯 | ||
【主权项】：
一种真空溅射靶磁芯，其特征在于：该真空溅射靶磁芯包括一罩体和磁体固定板，该磁体固定板固定于罩体内，沿该磁体固定板上在竖直方向的平面上开设有安装槽，该安装槽内设有第一磁体，用以形成溅射磁场，在该磁体固定板的两端装设有第二磁体，用于对该溅射的第一磁体产生的磁场进行封磁。
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