[发明专利]LDMOS晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 201110456264.4 | 申请日： | 2011-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN103187444A | 公开（公告）日： | 2013-07-03 |
| 发明（设计）人： | 刘金华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种LDMOS晶体管及其制作方法，所述LDMOS晶体管包括：半导体衬底，包括平台部和凸出部；源区，位于所述凸出部相对两侧的所述平台部内，所述源区还包括延伸区；漏区，位于所述凸出部的顶部；漂移区，位于所述凸出部内，与所述漏区相邻，并与所述延伸区之间具有间隔，所述源区、所述漏区以及所述漂移区具有相同的导电类型，所述漂移区的掺杂离子浓度小于所述漏区或所述源区的掺杂离子浓度；栅介质层，位于所述凸出部相对两侧的侧壁上；以及栅电极，位于所述栅介质层上，所述栅电极与所述平台部之间电性绝缘。所述LDMOS晶体管具有两个沟道，因此具有更大的工作电流，从而改善了LDMOS晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | ldmos 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS晶体管，包括：半导体衬底，包括平台部和突出所述平台部的凸出部；源区，位于所述凸出部相对两侧的所述平台部内，所述源区还包括延伸至部分所述凸出部内的延伸区；漏区，位于所述凸出部的顶部；漂移区，位于所述凸出部内，与所述漏区相邻，并与所述延伸区之间具有间隔，所述源区、所述漏区以及所述漂移区具有相同的导电类型，所述漂移区的掺杂离子浓度小于所述漏区或所述源区的掺杂离子浓度；栅介质层，位于所述平台部上且位于所述凸出部相对两侧的侧壁上；以及栅电极，位于所述平台部上且位于所述栅介质层上，且所述栅电极与所述平台部之间电性绝缘。
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